IOL观察
数据
报告
冷暖智造
EN
4月8日消息，据外媒报道称，三星电子高管近日透露，该公司完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证，已制造出基于混合键合技术的16层堆叠HBM3内存样品，该内存样品工作正常，未来16层堆叠混合键合技术将用于HBM4内存量产。据悉，混合键合技术作为一种新型的内存键合方式，相较于传统的键合工艺，具有显著的优势。它摒弃了在DRAM内存层间添加凸块的繁琐步骤，直接通过铜对铜的连接方式实现上下两层的连接。这种创新的方式不仅提高了信号传输速率，更好地满足了AI计算对高带宽的迫切需求，同时也降低了DRAM层间距，使得HBM模块的整体高度得到缩减。
关键词：三星
编辑：YHZ
