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富士通氮化镓功率器件

2012/12/7 16:16:31
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  与传统硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率,并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化,从而可以通过硅晶圆直径的增加,来实现低成本生产。按照此目标,富士通半导体自2009年起就在开发批量生产技术。此外,富士通半导体自2011年起开始向特定电源相关合作伙伴提供GaN功率器件样品,并对之进行优化,以便应用在电源单元中。
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    器件原型

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    效率对比

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