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据韩联社6月22日消息，三星电子预计将在下周宣布大规模生产3纳米芯片，下一代3纳米芯片将建立在Gate-All-Around（GAA）技术之上。三星称，与现有的FinFET工艺相比，该技术将使芯片面积减少45%，同时性能提高30%，功耗降低50%。
韩媒：三星预计将于下周宣布量产3纳米芯片
2022-06-23
来源：界面新闻
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