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据报道，三星电子计划在年底全面建成的P3晶圆厂建设延期，将推迟到明年建成。在推迟之后，三星电子这一工厂NAND闪存生产线的洁净室，预计在明年一季度建成。知情人士还透露，NAND闪存生产线的建设推迟一个月，也影响到了晶圆厂其他阶段的建设，将相应的推迟。三星电子P3晶圆厂，是他们到目前为止建设的最大的晶圆厂，占地70万平方米。
关键词：三星电子
编辑：LRR
