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三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展，并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）称，三星已生产出基于其第九代 V-NAND 闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的 11nm 级 DRAM 芯片。
关键词：三星
编辑：YHZ
