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据媒体报道，当地时间周二，三星在全球芯片制造商聚会Memcon 2024上表示，预计2024年HBM产能将增至去年的2.9倍。三星公司执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joong还表示：“继已经量产的第三代HBM2E和第四代HBM3之后，我们计划在今年上半年大批量生产12层的第五代HBM3e和基于32千兆位的128 GB DDR5（DRAM解决方案）。”“凭借这些产品，我们有望在人工智能时代提升我们在高性能、大容量内存领域的影响力。”
关键词：三星
编辑：YHZ
