据美国《华尔街日报》网站4月5日报道,据知情人士透露,三星电子有限公司拟将其在美国得克萨斯州的半导体投资总额增加超过一倍,至约440亿美元,这是美国寻求扩大生产尖端芯片方面取得的重大突破。这些知情人士说,这家韩国公司的新支出将集中在得州泰勒市,三星正在那里建设半导体中心,附近还有其他现有业务。新增设施包括新芯片制造工厂,以及先进封装和研发设施。
据美国《华尔街日报》网站4月5日报道,据知情人士透露,三星电子有限公司拟将其在美国得克萨斯州的半导体投资总额增加超过一倍,至约440亿美元,这是美国寻求扩大生产尖端芯片方面取得的重大突破。这些知情人士说,这家韩国公司的新支出将集中在得州泰勒市,三星正在那里建设半导体中心,附近还有其他现有业务。新增设施包括新芯片制造工厂,以及先进封装和研发设施。
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