SK海力士将投资逾38亿美元新建DRAM芯片生产基地
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SK海力士将投资逾38亿美元新建DRAM芯片生产基地

当地时间周三(4月24日),韩国存储芯片巨头SK海力士宣布,计划在韩国投资5.3万亿韩元(合38.6亿美元),用于建设一座新的动态随机存取存储器(DRAM)芯片生产基地。据SK海力士介绍,该公司计划于4月底开始建造工厂,预计将在2025年11月前实现量产。


关键词:SK海力士  芯片   编辑:YHZ
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