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2024年6月18日，士兰集宏项目正式开工，经过8个月紧张有序的建设，今天项目正式封顶。这是项目严格按照事先制定的重大里程碑节点准时完成封顶，也是一次性实现各栋号的全面封顶。长期以来，士兰微电子坚持走IDM（设计制造一体化）发展道路，不断积累技术和工艺经验，推动和引领着国内功率半导体芯片行业的发展。
士兰微在厦门制造基地建设的车规级6英寸SiC MOSFET产线，从2022年起至今已经量产三年，目前基于士兰自主研发和生产的二代SiC主驱芯片开发的高性能SiC功率模块已大批量上车，得到了TOP客户认可，并且士兰微已完成了四代SiC芯片的研发，新一代SiC功率模块也将于今年上量。士兰集宏项目，体现了士兰微电子“集中意志和力量，努力实现超越式发展，争取早日成为具有世界一流竞争力的综合性半导体公司”的宏大愿景，其中总投资70亿元的一期项目，我们尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。项目的建成，将能较好的满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩、Ai服务器电源、大型白电等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。
