近日,据外媒报道,三星电子先进技术研究院(SAIT,原三星综合技术院)宣布成功开发出可将NAND闪存功耗降低90%以上的原创新技术。这一突破性研究成果已发表于国际顶级学术期刊《自然》。
近日,据外媒报道,三星电子先进技术研究院(SAIT,原三星综合技术院)宣布成功开发出可将NAND闪存功耗降低90%以上的原创新技术。这一突破性研究成果已发表于国际顶级学术期刊《自然》。
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