SiC或将迎来涨价潮

碳化硅 (SiC) 供应链正步入一个分阶段的市场，SiC 原材料价格上涨，而 6 英寸器件衬底则面临巨大的价格压力。对于电源和汽车设计人员而言，这种分化可能会重塑器件成本结构，而此时 SiC 正被广泛应用于人工智能加速器和高性能计算平台。

据TrendForce援引的市场数据显示，包括黑色和绿色等级在内的散装碳化硅粉末和颗粒的价格持续上涨。近期交易价格约为每吨6271元人民币，环比上涨约0.21%。价格上涨的原因在于原料成本坚挺、下游需求扩大以及与环保检查和产能限制相关的供应调整，这些因素共同推高了分销环节的成本。

相比之下，用于功率器件的6英寸碳化硅（SiC）晶圆衬底市场则陷入了一场所谓的“价格战”。全球主要供应商的产能快速扩张导致供应过剩，据报道，从2024年年中到第四季度，晶圆价格将跌破每片500美元，降幅超过20%。预计到2025年，主流报价将徘徊在每片400美元或更低，部分供应商甚至会以接近成本的价格出售，这可能会加速衬底生产商之间的整合。

除了电力电子领域，碳化硅（SiC）作为人工智能和高性能计算（HPC）平台的热管理材料，其地位日益凸显。随着GPU功率密度的不断攀升，传统的散热解决方案已难以满足需求，而导热系数高达500瓦/米开尔文的碳化硅正逐渐成为散热和载流子结构的理想材料。

TrendForce报告称，NVIDIA预计将于2025年左右在其Rubin AI平台中引入SiC技术，并采用台积电的CoWoS先进封装技术，以SiC取代传统的硅中介层，从而更好地应对高热负荷。与此同时，台积电正与供应商合作开发12英寸单晶SiC载板，以取代高性能计算（HPC）系统中的传统陶瓷载板。中国供应商SICC已开始提供全系列12英寸SiC基板样品，以满足市场需求。

随着大型数据中心向 800V 高压直流架构转型，碳化硅 (SiC) 功率器件有望在系统层面实现更高的效率和更低的损耗。同时，SiC 的高折射率（约为 2.6 至 2.7）正被评估用于增强现实 (AR)、混合现实 (MR) 和虚拟现实 (VR) 光学器件，与传统玻璃相比，它有望实现更薄的光学器件和更宽的视场角。

如果碳化硅原材料价格持续上涨，而6英寸衬底的价格仍面临压力，欧洲集成器件制造商（IDM）和模块制造商或许能抓住机会，锁定更具竞争力的晶圆合同，尤其是在汽车级生产线方面。与此同时，任何向12英寸碳化硅载片和人工智能加速器先进封装结构转型的趋势，都可能将工艺技术和投资进一步推向价值链上游，从而为欧洲封装和材料专家带来潜在的溢出效应。

短期来看，对于工程师和采购团队而言，碳化硅不再仅仅是高压功率器件的宽禁带材料选择。它正日益成为人工智能热管理和先进光学领域的战略材料，同时，其成本结构也正受到碳化硅原材料价格和衬底价格竞争的双重影响。