必易微发布全新 PFC 控制器 KPE2806S，填补消费级市场直驱 SiC 应用空白

碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体，在功率器件领域具备着更高的击穿电压、更大的电流承受能力和更宽的温度适应范围，且内阻温度漂移极小、热稳定性及可靠性远优于传统硅器件。

在传统工业级辅助电源中，往往需要双管反激拓扑来解决高母线电压下功率器件耐压不足的问题，导致成本升高，同时市面上方案通常为固定频率、无谷底导通，随着母线电压越高开关损耗越大；即使使用了 SiC 方案，通常需要加额外的 SiC 专用驱动芯片，还需要考虑上电时序等诸多问题，难以在小体积系统中集成。

在消费领域中，尤其是 PD 快充一直追求小体积、高集成度、高效率和低成本的应用场景，随着第三代半导体发展，国内已有直驱 GaN 方案，但面向消费级市场直驱 SiC 的专用控制器，国内还较为稀少。基于此，必易微近期全新推出了可直驱 SiC 的 PFC 控制器，省去专用驱动器与上电时序配套电路，让 BOM 更精简，同时把 SiC 器件的高速开关优势稳定释放出来。

必易微KPE2806S

KPE2806S 是一款支持直驱SiC的离线准谐振式升压PFC控制器，芯片支持临界导通模式（CRM）与断续导通模式（DCM）自适应切换，满载运行于 CRM、轻载时进入 DCM 并通过降频与打嗝（Burst）机制有效提升轻载和待机效率，适用于适配器电源、LED 照明以及台式机/电视等需要高功率因数和低输入谐波的场景。

KPE2806S 针对直驱 SiC 的系统化需求做了多方面优化，芯片内置16V门极钳位并提供 −550mA / +1350mA 大电流驱动，能够匹配 SiC MOS 管更快的门极充放电需求并缩短开关过渡时间。

KPE2806S 通过谷底导通打准谐振工作点，在 DRAIN 电压到谷底时再开通以大幅减小开关损耗，最高钳频可达 500kHz，并且通过 RSEL 判决机制自动设定最高工作频率与最大导通时间以匹配不同系统设计。芯片还实现了动态加速、两档输出电压以及打嗝/降频曲线等控制策略，让芯片在效率、功耗、响应速度、EMI 等方面取得更加优秀的平衡。

可靠性与保护方面，KPE2806S 集成了包括 VDD OVP/UVLO、输入欠压、输出欠压/过压、逐周期过流、异常过流锁存、CZ 管脚二级 OVP、过热关断以及管脚开短路保护等完整的保护方式，此外具有较低的启动与待机电流，采用SOT23-6 小尺寸封装。

KPE2806S 是一款面向高性能电源前端的 PFC 控制器，支持直驱 SiC，专为追求更高效率、更小体积的商业电源产品而设计。该芯片针对新一代高频功率器件进行了优化，能够在多种负载工况下维持出色的能效表现并降低轻载与待机功耗，使整机在节能、散热和可靠性上都有明显提升。

从产品定位来看，KPE2806S 能帮助适配器、LED 驱动、电源模块等厂商在保持性能的同时缩减元件数量和 PCB 面积，简化系统设计并加快工程验证周期。该芯片内建全面的保护机制与稳健的控制策略，能有效提升整机可靠性并降低出现异常工况时的风险，使终端产品在品质与安全性上更具竞争力。